半导体装置及其制造方法

专利号：CN202210825455.1

公布日：2022-09-23

申请人：友达光电股份有限公司

一种多孔氮化硅陶瓷的连接方法

专利号：CN201910908744.6

公布日：2021-07-13

申请人：哈尔滨工业大学

均匀沉积氮化硅以形成侧墙的方法

专利号：CN201110389200.7

公布日：2012-05-02

申请人：上海华力微电子有限公司

一种具备微结构的三层氮化硅减反层及其制备方法

专利号：CN202011090280.1

公布日：2022-05-17

申请人：常熟理工学院;苏州腾晖光伏技术有限公司

一种氮化硅电热元件

专利号：CN200820085241.0

公布日：2008-12-31

申请人：周祥林

氮化硅基烧结体及切削镶刀

专利号：CN201780022145.3

公布日：2021-04-30

申请人：日本特殊陶业株式会社

氮化硅烧结体、氮化硅基板及氮化硅电路基板

专利号：CN201980042179.8

公布日：2022-11-15

申请人：株式会社东芝;东芝高新材料公司

基于双层氮化硅结构的光栅耦合器及其制作方法

专利号：CN202110808467.9

公布日：2023-01-17

申请人：上海新微技术研发中心有限公司

一种FINFET结构的制备方法

专利号：CN201410060243.4

公布日：2017-05-03

申请人：上海华力微电子有限公司

一种高纯氮化硅的回收方法

专利号：CN200910186468.3

公布日：2010-04-28

申请人：江西赛维LDK太阳能高科技有限公司

具有改善的蚀刻角度的栅极绝缘层及其形成方法

专利号：CN201310566294.X

公布日：2019-08-23

申请人：上海和辉光电有限公司

一种高效三层氮化硅膜金刚片太阳能电池及其制造工艺

专利号：CN201711228896.9

公布日：2018-04-13

申请人：江苏彩虹永能新能源有限公司

一种形成双应力层氮化硅薄膜的方法

专利号：CN201210158843.5

公布日：2012-10-03

申请人：上海华力微电子有限公司

一种水基流延成型制备致密氮化硅陶瓷材料及致密异形氮化硅陶瓷材料的方法

专利号：CN201410160590.4

公布日：2014-07-16

申请人：哈尔滨工业大学

用于合成高α相氮化硅粉体的反应器

专利号：CN201822132588.2

公布日：2019-09-06

申请人：泰晟新材料科技有限公司